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目錄:廈門韞茂科技有限公司>>實驗室常用設備>>等離子體表面處理>> QBT-A雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)

雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)
  • 雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)
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具體成交價以合同協(xié)議為準

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  • 其他品牌 品牌
  • QBT-A 型號
  • 生產(chǎn)商 廠商性質(zhì)
  • 廈門市 所在地

更新時間:2025-06-20 09:02:25瀏覽次數(shù):1254評價

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產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 100萬-150萬
應用領(lǐng)域 綜合
雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)是對ALD技術(shù)的擴展,通過等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅(qū)體物質(zhì)的反應活性,從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時間,同時也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。
    一、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)核心參數(shù):

    價格區(qū)間:100萬-200萬

    產(chǎn)地類別:國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)(ALD)

    襯底尺寸:Ф200mm

    工藝溫度:RT-500±1ºC

    前驅(qū)體數(shù):最大可包括3組等離子體反應氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應前驅(qū)體

    重量:300KG

    尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm

    均勻性:均一性<1%

    二、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)應用原理分析:

    原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應腔體內(nèi)并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。

    等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition,PEALD)是對ALD技術(shù)的擴展,通過等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅(qū)體物質(zhì)的反應活性,從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應用要求,縮短了反應周期的時間,同時也降低了對樣品沉積溫度的要求,可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積,特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

    三、廈門韞茂科技有限公司為您提供參數(shù)、價格、型號、原理等信息,產(chǎn)地為福建、品牌為韞茂,型號為QBT-A,價格為100萬-200萬RMB,更多相關(guān)信息可咨詢,公司客服電話7*24小時為您服務。

    四、主要技術(shù)參數(shù):


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     五、測試結(jié)果展示:

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