化合物半導體用快速退火爐詳情：

1、可適用基片類型：
硅和化合物半導體晶圓，GaN /藍寶石和碳化硅晶圓，多晶硅晶圓，玻璃，金屬，高分子聚合物，石墨和碳化硅托盤等等。

2、應用：
注入退火、歐姆接觸退火(III-V and SiC)、碳化硅、快速熱氧化RTO、快速熱氮化RTN、致密和結晶、硒化、快速熱CVD（多晶硅、SiO2, SiNx）

3、產品特性：
多區(qū)紅外線鹵素燈退火爐配有閉環(huán)空氣冷卻
不銹鋼冷壁腔室技術
快速數(shù)字PID溫度控制器
熱電偶和高溫計控制
大氣和真空工藝性能
配有針閥的吹掃氣路
多6條工藝氣路，配有MFC
配有以太網通訊的PC控制，用于快速數(shù)據(jù)記錄
可選配渦旋泵和壓力控制
手動或盒到盒裝載

4、多配置選擇：
S20: 標準, 6個區(qū)域, *高到1150°C，升溫速率可達100°C/s
S20 HT: 高溫, 6 個區(qū)域, *高到1450°C，升溫速率可達200°C/s
2000: 增強均勻性, 10個區(qū)域, *高到1250°C，升溫速率可達150°C/s
2000 HT: 可在S20 HT或2000配置中運行
多溫度端口位置以滿足不同基片尺寸
可選配適用于低真空工藝的抽真空腔室
氣體面板用于CVD應用的退火
可選配壓力控制
可選配渦輪泵
盒到盒版本

化合物半導體用快速退火爐