1. 產(chǎn)品概述：

夢(mèng)啟半導(dǎo)體的減薄機(jī)是一種用于半導(dǎo)體晶圓減薄的關(guān)鍵設(shè)備。它通過(guò)特定的磨削工藝，將已通過(guò)晶圓測(cè)試的晶圓背面的基體材料進(jìn)行精確磨削，使其達(dá)到工藝要求的目標(biāo)厚度。例如，能對(duì)硅晶圓、砷化鎵晶圓等進(jìn)行減薄處理，為后續(xù)的半導(dǎo)體制造工序如光刻、蝕刻、封裝等創(chuàng)造理想的晶圓厚度條件。

2. 設(shè)備應(yīng)用：

· 半導(dǎo)體制造：在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)流程中，是重要的前道工序設(shè)備。用于對(duì)晶圓進(jìn)行減薄處理，改善芯片散熱效果，并且減薄到一定厚度有利于后期的封裝工藝，對(duì)提升芯片的性能和成品率起到關(guān)鍵作用?？蓱?yīng)用于邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片等多種半導(dǎo)體芯片的制造。

· 新能源行業(yè)：在一些新能源領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件制造中，如碳化硅晶圓的減薄加工，以滿足新能源器件對(duì)半導(dǎo)體材料的特殊要求。

· 光電行業(yè)：為光電元件的制造提供經(jīng)過(guò)減薄處理的半導(dǎo)體晶圓，有助于提高光電元件的性能和生產(chǎn)效率，如在激光器芯片、光學(xué)傳感器芯片的生產(chǎn)中有所應(yīng)用。

3. 設(shè)備特點(diǎn)：

· 高精度加工：能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的晶圓減薄，達(dá)到納米級(jí)甚至更高的厚度控制精度，確保晶圓表面的平整度和厚度均勻性，滿足半導(dǎo)體制造對(duì)晶圓質(zhì)量的嚴(yán)苛要求。

· 先進(jìn)的技術(shù)：經(jīng)過(guò)多年的自主研發(fā)，在晶圓減薄技術(shù)方面達(dá)到國(guó)際水準(zhǔn)，部分技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破，可替代國(guó)外進(jìn)口設(shè)備。

· 設(shè)備穩(wěn)定性強(qiáng)：具備穩(wěn)定可靠的機(jī)械結(jié)構(gòu)和控制系統(tǒng)，能夠在長(zhǎng)時(shí)間的生產(chǎn)運(yùn)行中保持穩(wěn)定的加工性能，減少設(shè)備故障和停機(jī)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。

· 操作便捷：擁有人性化的操作界面和控制系統(tǒng)，方便操作人員進(jìn)行設(shè)備操作、參數(shù)設(shè)置和監(jiān)控，降低操作難度和培訓(xùn)成本。

· 廣泛的材料適應(yīng)性：不僅適用于常見的硅晶圓，還能對(duì)多種硬脆材料如藍(lán)寶石、碳化硅、砷化鎵、氮化鎵等進(jìn)行有效的減薄加工，滿足不同半導(dǎo)體材料的加工需求。

4. 產(chǎn)品參數(shù)：

1. 可根據(jù)客戶需求定制化各類工作臺(tái)，滿足各類半導(dǎo)體材料的研削薄化工藝

2. 大晶圓尺寸：8英寸

3. 砂輪規(guī)格：?203(OD)mm

4. 砂輪軸轉(zhuǎn)速范圍：0~6000 RPM

5. 工作臺(tái)轉(zhuǎn)速：0~400 RPM          

6. Z軸行程：130mm

7. Z軸進(jìn)給速度：0.1~1000 um /sec  可選配小0.01um/sec

8. 厚度在線測(cè)量分辨率：0.1um

9. 厚度在線測(cè)量重復(fù)精度：±0.001 mm

實(shí)際參數(shù)可能會(huì)因設(shè)備的具體配置和定制需求而有所不同。