1. 產(chǎn)品概述：

THEORIS X302主要用于12英寸600℃-1200℃氧化及退火工藝。該機臺為立式單腔爐管系統(tǒng)，工藝處理過程實現(xiàn)了高度自動化。系統(tǒng)主要由傳輸模塊、工藝模塊、電源柜等部分組成。

2. 設(shè)備應(yīng)用：

  晶圓尺寸

  12英寸

  適用材料

  硅

  適用工藝

  高溫干/濕氧氧化、DCE氧化、摻氮氧化、高溫退火

  適用領(lǐng)域

  先進集成電路、功率半導體、襯底材料

3. 特色參數(shù)：

濕氧氧化工藝是在氧氣中加入水汽來進行氧化反應(yīng)。北方華創(chuàng) THEORIS X302 氧化爐設(shè)備在濕氧氧化工藝中表現(xiàn)出色。它能夠精確控制水汽的含量和輸入方式，以實現(xiàn)對氧化膜生長速率和質(zhì)量的精準調(diào)控。在溫度控制上，同樣具備高精度的特點，確保在濕氧環(huán)境下硅片受熱均勻，從而形成均勻、致密的氧化膜。氣體流量的調(diào)節(jié)也非常精準，能夠根據(jù)工藝需求靈活調(diào)整氧氣和水汽的比例，滿足不同產(chǎn)品對濕氧氧化工藝的特殊要求。其優(yōu)秀的工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性，使得濕氧氧化工藝的結(jié)果可預(yù)測且可靠。

  4.設(shè)備特點

  先進的顆粒控制技術(shù)

  先進的金屬污染控制技術(shù)

  高精度溫度場控制技術(shù)

  支持快速升/降溫度技術(shù)

  高產(chǎn)能