晶圓清洗設(shè)備是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵裝備，用于去除硅片表面的顆粒、有機物、金屬污染及氧化層，直接影響芯片良率與性能。長期以來，市場被美國DNS、日本迪恩提斯（Daitoshi）等企業(yè)壟斷，技術(shù)壁壘高筑。近年來，國產(chǎn)設(shè)備廠商憑借政策支持（如國家02專項、大基金投入）與自主研發(fā)，在槽式清洗、單片清洗等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐步打破“卡脖子”困境，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控提供重要支撐。

一、核心技術(shù)突破與產(chǎn)品布局

槽式清洗設(shè)備：以盛美上海（ACM）為代表，其“空間交變相移”（SAPS）技術(shù)通過多槽組合實現(xiàn)高效清洗，適用于28nm以上制程，累計出貨超300臺，進入中芯國際、華虹等產(chǎn)線。

單片清洗設(shè)備：北方華創(chuàng)、至純科技等企業(yè)推出基于兆聲波（MHz級超聲）和離心噴淋技術(shù)的單片清洗機，覆蓋12英寸晶圓，顆粒清除效率達99.9%，滿足封裝與存儲芯片需求。

濕法工藝創(chuàng)新：針對傳統(tǒng)RCA清洗的局限性，國內(nèi)廠商開發(fā)無氟環(huán)保清洗液（如有機酸體系），減少危廢處理成本，同時提升對Hafnium（鉿）等高深寬比結(jié)構(gòu)的清潔能力。

二、應(yīng)用場景與性能指標

三、挑戰(zhàn)與未來趨勢

技術(shù)瓶頸：

制程（如3nm以下）對原子級潔凈度要求，需突破等離子體清洗、激光清洗等新技術(shù)。

大尺寸晶圓（12英寸以上）的平整度控制與應(yīng)力管理仍需優(yōu)化。

發(fā)展趨勢：

智能化：集成AI算法實時優(yōu)化清洗參數(shù)（如時間、流速），降低耗材浪費。

綠色化：推廣無氟清洗液、閉環(huán)水循環(huán)系統(tǒng)，減少環(huán)保壓力。

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同：與光刻、刻蝕設(shè)備廠商聯(lián)合研發(fā)，形成國產(chǎn)替代整體方案。