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美國(guó)KemLab負(fù)性光刻膠 HARE SOTM 高深寬比環(huán)氧光刻膠

產(chǎn)品描述

HARE SQ™ 是一種基于環(huán)氧樹(shù)脂的負(fù)性光刻膠，專為聚合物 MEMS、微流控、微加工及其他微電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)。本系統(tǒng)適用于 2 至 100 微米的厚膜應(yīng)用，是光刻膠需保留在最終器件中的應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

• 采用潔凈度高、重現(xiàn)性優(yōu)異的環(huán)氧樹(shù)脂

• 交聯(lián)后光刻膠表面能穩(wěn)定（對(duì)微流控應(yīng)用至關(guān)重要）

• 兼容 SU-8 工藝

• 負(fù)性（Negative）

• 膜厚：?jiǎn)未涡靠蛇_(dá) 100μm

• 感光度：寬帶光源/i-line

• 顯影液：HARE SQ™ 專用顯影液

工藝指南表

HARE SQ™ 負(fù)性環(huán)氧光刻膠

基板準(zhǔn)備

HARE SQ™ 可附著于多種基板（包括硅、金、鋁、鉻、銅）。為獲得優(yōu)良附著力，基板在涂膠前需保持清潔干燥。

涂覆工藝

旋涂法：通過(guò)圖示轉(zhuǎn)速曲線控制膜厚。涂覆程序包含 5-10 秒鋪展階段，最終轉(zhuǎn)速持續(xù) 30 秒。

軟烘烤

推薦采用接觸式熱板進(jìn)行兩步烘烤，以減小膜應(yīng)力及附著力問(wèn)題（詳見(jiàn)工藝指南表）。

美國(guó)KemLab負(fù)性光刻膠 HARE SOTM

曝光與光學(xué)參數(shù)

HARE SQ™ 適用于近紫外波段（300-400nm）曝光。曝光劑量因設(shè)備配置、膜厚及工藝條件而異。工藝指南表提供采用 360nm 截止濾光片的寬帶曝光基準(zhǔn)劑量。

曝光后烘烤（PEB）

PEB 時(shí)間需根據(jù)膜厚調(diào)整以保證充分交聯(lián)。推薦兩步烘烤法降低膜應(yīng)力，避免開(kāi)裂/脫附（詳見(jiàn)工藝指南表）。

顯影

需使用 KemLab 專用顯影液，支持浸沒(méi)、噴淋或噴淋-浸沒(méi)組合模式。厚膜顯影建議更新顯影液（如雙噴淋法）。顯影后用異丙醇（IPA）沖洗基板并干燥（詳見(jiàn)工藝指南表）。

硬烘烤

應(yīng)用：>120℃熱板烘烤 ≥5 分鐘可修復(fù)應(yīng)力裂紋。
結(jié)構(gòu)體：>150℃烘箱烘烤可增強(qiáng)交聯(lián)且應(yīng)力增加最小。

存儲(chǔ)條件

避光保存于 4-21℃ 密閉容器。遠(yuǎn)離氧化劑、酸、堿及火源。

操作與廢棄

安全警示：含可燃液體！遠(yuǎn)離熱源/明火。操作請(qǐng)參考 SDS 文件并佩戴防護(hù)裝備。
廢棄處理：兼容標(biāo)準(zhǔn)光刻膠廢液流，需按當(dāng)?shù)胤ㄒ?guī)處置。